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Silicongear DG100N02G TO

Silicongear DG100N02G TO

Panoramica Silicongear DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10 V 3,9 mΩ ID=100 A MOSFET di potenza a cana;
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Overview
Informazioni basilari.
Modello numero.DG100N02G
StrutturaPlanare
Struttura di incapsulamentoTransistor a chip
Livello di potenzaAd alta potenza
MaterialeSilicio
Applicazione3Applicazioni di azionamento di motori BLDC
Applicazione1Circuiti alimentati a batteria
Applicazione5Applicazioni di raddrizzatori sincroni
Applicazione6Alimentatori in modalità risonante
Applicazione4Topologie a mezzo ponte e a ponte intero
Caratteristiche3Bassa capacità Miller
Caratteristiche4Capacità e valanga completamente caratterizzate
Caratteristiche2Carica di commutazione bassa
Caratteristiche1Ottimizzato per la rettifica sincrona Ingresso basso
Pacchetto di trasportoPacchetto di plastica
SpecificaDG100N02G
MarchioIngranaggio in silicone
OrigineGuangdong, Cina
Capacità produttiva10000 pezzi/giorno
Descrizione del prodotto

Ingranaggio in silicone DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10 V 3,9 mΩ ID=100 A DG-FET™ MOSFET di potenza a canale N da 100 V

Silicongear DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V N-Channel Power MOSFET

Silicongear DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V N-Channel Power MOSFET

Silicongear DG100N02G TO-263 (D2PAK) VDSS=100V RDS(ON)max. VGS=10V 3.9mΩ ID=100A DG-FET™ 100V N-Channel Power MOSFET


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